西安思拓光电技术有限责任公司

半导体激光器

技术参数:

波 长:532nm、635nm、650nm、658nm、780nm、805nm、850nm、980nm

出瞳功率:0.3mW~3000mW

发 散 角:0.1mrad~0.6mrad

光学系统:光学镀膜玻璃或塑胶透镜

光斑描述:点式、一字线式、十字线式、

工作电压:DC 3V 、4.5V、 5V 、9V、12V(可选) 、2.7-12V(宽电压输入)

激光级别:Ⅱ、Ⅲa、Ⅲb

工作温度:-10℃~50℃;部分可达:-10℃~70℃。

存储温度:-40℃~80℃。

选配附件:激光器专用电源、支架

外形尺寸:Φ7mm×11mm、Φ10mm×28mm、Φ10mm×40mm、Φ12mm×45mm、

Φ14mm×60mm、Φ16mm×70mm、Φ20mm×80mm、Φ32mm×125mm

(注明:外形尺寸不限于表中数据,可根据用户需要定制)

半导体激光器